Modellierung, Analysis und Skalenübergänge von Volumen-Grenzschicht-Prozessen

Leitung:
Marita Thomas

Mitarbeiter:
Mohammad Hassan Farshbaf Shaker, Dirk Peschka, Sven Tornquist, Andrea Zafferi

Sekretariat:
Andrea Eismann


Upcoming Events:

31.01.-01.02.2019, WIAS Berlin, Kick-off Meeting of the ECMI Special Interest Group "Modeling, Simulation and Optimization in Electrical Engineering (MSOEE)"

 

Überblick

Ziel der Gruppe ist die Entwicklung mathematischer Methoden für Systeme mit Volumen-Grenzschicht Prozessen zur

• thermodynamisch konsistenten Modellierung von Volumen-Grenzschicht Interaktion mit dissipativer, Hamiltonscher, sowie gekoppelter Dynamik,
• Existenztheorie und Bestimmung qualitativer Eigenschaften von Lösungen,
• Herleitung und Begründung von Grenzschichtprozessen und -kopplungsgesetzen.

Die analytischen Resultate gehen ein in die Entwicklung numerischer Algoritmen zur Simulation von Anwendungen mit Volumen-Grenzschicht Interaktion.

Derzeit werden in der Gruppe folgende Anwendungsfelder behandelt:

• Dissipative Prozesse in elastischen Festkörpern mit Volumen-Grenzschichtinteraktion (M. Thomas), wie z.B. Schädigung, Rissausbreitung, Plastifizierung,
• Optoeletronische Prozesse in Halbleiterbauteilen (M. Thomas, D. Peschka),
• Viskose Strömung mit freien Rändern und Kontaktlinien (D. Peschka).

Mechanische Spannungen und Schädigungsfortschritt für einen Zugversuch an einem eingekerbten Stab unter Verwendung eines BV-regularisierten Schädigungsmodells.	Querschnitt eines Laser-Bauteils: die optisch aktive Ge-Zone zeigt die Lochströme (farbig) und die Konturlinien der Hauptmode (rot).	P1-FEM-Lösung eines freien Randwertproblems eines dünnen Tropfens, der auf einer schiefen Ebene gleitet.