Modellierung und Simulation von Bauelementen der Nano- und Optoelektronik
Authors
- Gajewski, Herbert
- Glitzky, Annegret
ORCID: 0000-0003-1995-5491 - Griepentrog, Jens André
- Hünlich, Rolf
- Kaiser, Hans-Christoph
- Rehberg, Joachim
- Röpke, Wilfried
- Stephan, Holger
ORCID: 0000-0002-6024-5355 - Wenzel, Hans
ORCID: 0000-0003-1726-0223
DOI
Abstract
In vielen Zweigen der modernen Technik spielen nano- und optoelektronische Bauelemente eine wichtige Rolle. Zu ihrer Entwicklung sind mathematische Modellierung und numerische Simulation unverzichtbare Hilfsmittel. Am Weierstraß-Institut wurde in den letzten Jahren intensiv an der mathematischen Modellierung von Technologieschritten zur Herstellung von Bauelementen und der in ihnen ablaufenden Ladungstransportprozesse gearbeitet. Auf der Grundlage der Analyse der beschreibenden Systeme nichtlinearer partieller Differentialgleichungen entstanden die weithin akzeptierten Simulationsprogramme DIOS (Diffusion, Implantation, Oxidation in Semiconductors) und ToSCA (Two-dimensional Semiconductor Analysis Package).
Im folgenden wird die Nutzung unserer Ergebnisse zur Entwicklung von Silizium-Germanium-Heterobipolartransistoren bzw. Quantum-Well-Halbleiterlasern im Rahmen zweier, durch das BMBF gefoerderter Projekte beschrieben. Beide Projekte leben von enger interdisziplinaerer Kooperation mit unseren Partnern vom Institut für Halbleiterphysik Frankfurt(Oder) bzw. vom Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik Berlin.
Appeared in
- Mathematik-Schluesseltechnologie fuer die Zukunft, Springer, 1997, pp. 303-313
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